Linear Systems 扩展了其 JFET 压控电阻器 (VCR) 系列，用于基于 IC 的器件的低功耗电路。JFET压控电阻器系列新增的两款产品包括LS26VNS单N沟道JFET VCR和LS26VPS单P沟道JFET VCR。N 和 P 沟道版本均由相同的芯片几何形状制成，因此具有互补性。它们是现有VCR11N双N通道的补充。将VCR用于压控放大器或压控增益系统的优点包括：

· 基于 VCR 的设备以较低的电压和功耗运行，使电池供电系统的使用寿命显著延长。

· VCR JFET可与低功耗运算放大器配合使用，为电压控制增益系统提供低功耗解决方案。

对于 LMV358 或 TLC272 等低压运算放大器，VCR JFET 用于在极低的电源电压(如 +/- 2 V、+ 5 V，甚至低至 3.3 V)的单个电源下执行电压控制增益。当JFET VCR包含低电压、低功耗运算放大器时，电路可以设计为非常低功耗。例如，将LSK389A用作这些低压电路的VCR。

匹配的JFET VCR(VCR11N或LSK389A)可以提供两个相同的电压控制增益通道，其中两个通道的控制电压跟踪。这可用于立体声音频信号衰减器。

典型的有源压控放大器消耗更多的电流，并且需要更高的最小电源电压，专用电压控制放大器集成电路至少需要 +/- 4 伏。

包括J177在内的P沟道JFET可以设计为具有单个A电源的VCR电路。例如，P沟道JFET VCR电路非常适合正电源电压，因为它对栅极的控制电压也是正电压。

LS26VNS N 沟道单 JFET VCR 具有漏源电阻，该电阻由施加到高阻抗栅极端子的直流偏置电压 (VGS) 控制。当VGS = -1.0V时，最小RDS为14 Ω。当VGS接近时，-6.0V RDS的夹断电压迅速增加到最大值，即RDS = 38 Ω。

LS26VPS P 沟道单 JFET 压控电阻器具有漏源电阻，该电阻由施加到高阻抗栅极端子的直流偏置电压 (VGS) 控制。当VGS = 3.0V时，最小RDS为20 Ω。当VGS接近7.5V的夹断电压时，RDS迅速增加到最大值或RDS = 50 Ω。

特征描述：

LS26VNS(N 通道单通道)

RDS(on) 14-38欧姆

BVgss 30 伏

TO-92 3L、SOT-23 3L、DFN 8L、裸片

LS26VPS(P 通道单通道)

RDS(on) 20-50欧姆

BVgss 30 伏

TO-92 3L、SOT-23 3L、DFN 8L、裸片

应用：

可变增益控制

压控振荡器

信号衰减器

音乐效果应用

自适应模拟滤波器

自动增益控制电路

时钟发生器

压缩机

静电计

能量收集器

扩展器

助听器

调光器

调制 器

搅拌机

人工神经网络

可编程增益放大器

相控阵

锁相环

相控调光电路

相位延迟和提前电路

可调谐滤波器

可变衰减器

压控多谐振荡器

波形发生器

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