Solitron Devices SD11714 1200V SiC N沟道功率MOSFET

发布时间：2025-05-29 09:00:32     浏览：969

　　Solitron Devices 公司的 SD11714 1200V SiC N-Channel Power MOSFET ，采用TO-257 3引脚封装，低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(QG)，具有雪崩能力，气密封装，适用于高可靠性应用。

Solitron Devices SD11714 1200V SiC N沟道功率MOSFET

　　主要参数

　　漏源电压(VDS)：1200V

　　连续漏极电流(ID)：25°C时为17A

　　导通电阻(RDS(on))：25°C时为160mΩ

　　栅极阈值电压(VGS(th))：1.8V~3.6V

　　最大功耗(PD)：97W

　　工作温度(TJ)：-55°C~+175°C

　　体二极管特性

　　正向电压(VSD)：4.25V

　　反向恢复时间(trr)：34ns

　　反向恢复电荷(Qrr)：197nC

　　应用领域

　　开关电源

　　DC-DC转换器

　　PFC电路

　　电机驱动

　　机器人控制

更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询开云电竞创展。

上一篇: DATEL ADC-HZ12BGC传统模数转换器

下一篇: GAMMA LXR30系列高压电源1-50KV

推荐资讯

  • HOLT IC航空电子设备MIL-STD-1553 协议IP内核
    HOLT IC航空电子设备MIL-STD-1553 协议IP内核 2021-04-14 17:12:48

    Holt ?MIL-STD-1553/1760 IP解决方案是全世界第一个MIL-STD-1553DALADO-254可认证IP核。它根据HoltHI-6130/31和MAMBATM系列。它在主处理器和MIL-STD-1553B数据总线之间提供了一个完善的单功能或多功能协议接口。

  • Solitron SD11720 N沟道功率MOSFET
    Solitron SD11720 N沟道功率MOSFET 2024-07-22 10:19:25

    SD11720是一款SiC N沟道功率MOSFET，由Solitron Devices, Inc.推出，专为高效率和可靠性的功率电子应用设计。采用先进的碳化硅技术，提供卓越的电气和热性能，适用于工业和能源应用。主要特点包括58A漏极电流、50mΩ导通状态电阻和TO-247-3塑料封装。优势包括低导通电阻的高阻断电压、低电容的高速开关、高工作结温能力（高达175°C）和较强的内置体二极管性能。应用领域包括太阳能逆变器、不间断电源、电机驱动器、高电压直流/直流转换器和开关模式电源。SD11720的高性能和广泛应用使其成为功率电子领域的关键组件，满足现代系统对高效率和高可靠性的要求。

在线留言

在线留言