PmTA-620-40-2.5低噪声放大器Princeton Microwave

2025-01-22 08:42:41

Princeton Microwave PmTA-620-40-2.5低噪声放大器频率6 - 20 GHz，小信号增益≥40 dB，中频段噪声系数2.5 dB，50Ohm输入输出匹配，有内部调节和偏置排序，无条件稳定，密封模块，工作温度 -50°C至100°C。

RO4003C,RO4350B,RO4360G2,RO4835层压板:高性能电路材料的介绍与应用

2025-01-22 08:38:00

RO4000? 系列高频电路材料是玻璃增强型碳氢化合物和陶瓷（非PTFE）层压板，专为性能敏感、高容量商业应用设计，能提供卓越高频性能与低成本电路制造，可用标准FR-4工艺制造。其中RO4003C?等部分层压板可与Ticer TCR薄膜电阻箔包覆，有特定箔厚与电阻值，1oz厚铜箔可特殊订购。

Statek CXOXULPHT 32.768kHz表面贴装振荡器

2025-01-20 09:03:22

Statek CXOXULPHT 32.768 kHz振荡器实现低功耗运行，采用调谐叉设计，具备最快启动时间与紧凑频率稳定性，专为超低电流（典型55 ?A）和快速启动（典型2 ms）应用打造，能在高达 +200°C高温运行且抗冲击性强。其主要特点有高温操作、超低电流、快速启动、高冲击抗性、低老化、CMOS输出等多项优势，产品设计制造于美国且提供全面军事测试。该振荡器适用于工业领域多种设备，规格参数涵盖频率、电源电压、校准容差、频率稳定性、输出负载、老化、冲击、振动及工作温度范围等多方面指标 。

Linear Systems LS840,LS841,LS842 JFET放大器

2025-01-17 08:50:11

Linear Integrated Systems（LIS）推出的LS840、LS841、LS842是低噪声、低漂移、低电容的单片双N沟道JFET放大器，专为高性能模拟信号处理设计。其关键特性包括超低噪声、超低漏电流、低温度漂移、低偏移电压、宽温度工作范围、高可靠性；电气性能方面，有特定的最大电压和电流承受能力、最大功耗，具备高跨导、高共模抑制比、低噪声系数；提供TO-71、TO-78、P-DIP、SOIC等多种封装选项；适用于音频放大、精密测量设备、传感器信号调理等高精度高可靠性应用。

Vishay 109D系列湿式钽电容器

2025-01-16 08:48:27

Vishay 109D系列湿式钽电容器是面向工业、汽车和电信应用设计的高性能电容器，采用烧结阳极TANTALEX?技术，有轴向通孔引脚，提供标准锡/铅（SnPb）和100%锡（符合RoHS标准）两种端子选项，能在 -55°C至 +125°C宽温度范围稳定工作，还给出了应用领域及订购指南 。

JANTX1N5552军级标准恢复整流二极管Microsemi 现货供应

2025-01-13 08:58:58

Microsemi公司生产的军用级别标准恢复整流二极管JANTX1N5552，属JEDEC注册的1N5550至1N5554系列，适用于高可靠性应用场合。其性能参数涵盖结点和存储温度、热阻等多项指标。主要特点有密封玻璃封装、四层钝化技术、内部冶金键合，符合军用标准且有RoHS合规商业级版本，是标准恢复5A整流器，具备高前向浪涌电流能力等多种优势。应用领域广泛，包括军事、航空等需要高可靠性整流方案及一般整流器应用场景。封装类型有通孔封装和表面贴装封装 。

L1807：Focus Microwaves高性能0.7-18GHz谐波调谐器

2025-01-10 08:34:30

L1807调谐器采用Focus Microwaves专利技术M（Multi-purpose tuners），用两个宽频带探头可同时独立控制两个谐波频率反射系数的幅度和相位，广泛应用于高功率/效率射频放大器设计等高级应用，能控制谐波阻抗生成稳健晶体管行为模型、帮助了解设备表现，还可预匹配阻抗、降低驱动负载功率；其频率范围0.7 - 18GHz，连接器为N型、APC-7，有相应高电压驻波比、谐波调优驻波比等参数，最大功率427W，重复性最小-40dB/典型-50dB，重57lbs，尺寸29.081*27.400，另有性能图表。

QTCV576LDK2-50.000MHz低轮廓5x7mm微型SMD电压控制晶振

2025-01-09 09:04:14

Q-TECH生产的QTCV576系列是低轮廓的5 x 7mm微型SMD VCXOs，频率范围1.000MHz - 156.250MHz，采用陶瓷封装、镀金接触垫，支持多种逻辑类型，供电电压有3.3Vdc和5.0Vdc，工作温度-40?C至+85?C，有三态输出，提供基本模式和第三泛音设计，可进行军事筛选测试且环保合规；应用于低电压设备、军用弹药系统、仪器设备、网络同步及微处理器时钟等领域，还有订购信息。

DELTA HCME1211F电感器

2025-01-09 08:58:16

DELTA HCME1211F电感器

Microsemi 1N4148UBD军用级开关信号二极管

2025-01-08 08:48:11

Microsemi 1N4148UB是符合MIL-PRF-19500/116标准的军用级开关/信号二极管，采用陶瓷体结构、表面贴装UB封装，具有低电容、开关速度快等特性，提供多种极性且有JAN、JANTX和JANTXV级别认证并符合RoHS标准；适用于高频数据线、RS-232和RS-422接口网络等多种应用；有明确的最大额定值（如结点和存储温度-65至+200°C等）和电气特性（如正向电压、反向恢复时间等）；机械方面外壳为陶瓷，端子为镍底层上的金镀层，重量小于0.04克。

Connor-Winfield PB223低抖动LVPECL时钟振荡器

2025-01-08 08:42:17

Connor-Winfield PBxxx系列是5.0x7.0mm表面贴装、LVPECL输出逻辑、固定频率晶体控制振荡器(XO)，3.3V供电，有使能/禁用功能，适用于需紧密频率稳定性、宽温范围和低抖动应用；输出频率122.88 - 170 MHz，不同型号总频率容差、操作温度范围有别，频率与供电电压关系为±0.5 ppm，供电电流40 - 50 mA，抖动、启动时间有具体指标，绝对最大额定值涉及存储温度等；具备多种特性，如3.3Vdc操作、低抖动等，且符合RoHS合规/无铅，可用于以太网参考时钟、高速数据转换等，还有订购指南。

Renesas R7FS7G27H2A01CBD微控制器: 240MHz Arm Cortex-M4处理器

2025-01-07 09:51:30

Renesas S7G2微控制器组是高性能微控制器，核心性能强，搭载240 MHz的Arm Cortex-M4核心等；内存丰富，有多种类型及相关功能；连接性佳，配备多种接口；模拟功能、定时器多样；支持多种加密算法保障安全；具备系统和电源管理功能；有人机界面相关功能；多时钟源；通用I/O端口多达172个；工作电压2.7至3.6 V，工作温度范围为 -40°C至+85°C或 -40°C至+105°C，有多种封装选项，适用于高性能、计算密集型、网络控制等多种应用 。

ARIZONA Capacitors W90系列高压电容器3000V-150000kV

2025-01-07 08:51:33

ARIZONA Capacitors W90系列额定电压范围为3kVDC至150kVDC，电容值最高可达2.000 μF，标准容差±10%；工作温度范围（G10外壳材料）按不同降额情况有所不同，全额定温度时为 -55°C至60°C，30%降额时为 -55°C至85°C，50%降额时为 -55°C至105°C，75%降额时为 -55°C至125°C；绝缘电阻在25 - 50kΩ，1,000Hz下损耗因子小于0.6%，经过130%额定电压1分钟测试，生产流程符合ISO 9001:2015认证，符合MIL-STD-202测试标准，可按需符合ROHS标准。

PESD24VL2BT低电容双向双ESD保护二极管NXP现货

2025-01-07 08:44:03

PESD24VL2BT是NXP公司的低电容ESD保护设备产品，采用SOT23封装，是低电容双向双ESD保护二极管，用于保护两条信号线免受ESD或瞬态电压损坏。其特性包括两条线路ESD保护、超低漏电流、350W最大峰值脉冲功率、高达23kV的ESD保护、低钳位电压等，符合相关标准；应用领域涉及计算机和外设、通信系统、音频视频设备、便携式电子设备、手机及附件、SIM卡保护等。

PDI VN04系列恒温晶体振荡器(OCXO)

2025-01-06 09:11:27

PDI VN04系列是烤箱控制晶体振荡器(OCXO)，能在苛刻环境下确保精确频率，具有超低相位噪声、高振动环境表现出色及采用双重密封石英晶体等特点，可提供定制频率，且公司提供快速样品服务、大规模生产能力和有竞争力的定价；产品主要规格包括尺寸、频率范围、输出类型等多方面参数，还给出了频率稳定性、频率调整、电源功耗、输出电压、负载、相位噪声等具体指标。

ICE40UL1K-SWG16ITR FPGA现场可编程门阵列Lattice

2025-01-06 09:04:59

iCE40 UltraLite家族是Lattice公司生产的FPGA和传感器管理器，专为超低功耗移动应用（如智能手机、平板电脑等）设计，包含与移动传感器和应用处理器接口的集成块。其特点包括灵活逻辑架构（有640或1K查找表两种设备）、超低功耗（40纳米低功耗工艺，待机电流35微安）、嵌入式和分布式存储等；应用领域涉及多传感器管理、IR遥控等；技术规格方面，不同型号逻辑单元数量不同，均有14个EBR内存块等，封装有16球WLCSP和36球ucBGA两种选项。

FSLD52TE-156.25MHz晶体控制振荡器Connor-Winfield

2025-01-06 09:00:53

Connor-Winfield FSLD52TE是表面贴装3.3V固定频率晶控振荡器(XO)，有HCMOS三态输出，专为低抖动和严格频率稳定性应用设计。其特点包括低抖动（<1ps RMS）、三态使能/禁用等；电气规格涵盖中心频率19.44 MHz至167 MHz、总频率容差±50ppm等；输入特性有使能和禁用电压；HCMOS输出特性涉及负载、高低电平电压电流等，启动时间为10ms。

Ampleon CLL3H0914L-700和CLL3H0914LS-700 RF GaN-SiC HEMT功率晶体管

2025-01-03 08:54:49

Ampleon公司的CLL3H0914L-700和CLL3H0914LS-700是700W内部预匹配的RF GaN-SiC HEMT功率晶体管，适用于0.9 GHz至1.4 GHz频率范围，具有出色的效率、热阻和坚固性，适用于航空电子应用；关键特性包括不同频率下的输出功率、功率增益、漏极效率、输入回波损耗等参数，还涉及热阻、漏源电压等多项指标，储存温度为-65℃ ~+150℃，且能承受特定条件下的额定负载功率。

Wi2Wi VNO5系列温控晶振(OCXO)

2025-01-03 08:50:06

Wi2Wi的VNO5系列是一款温控晶振（OCXO），能在苛刻条件下确保精确频率，具有超低相位噪声、高振动环境表现出色及采用双重密封石英晶体等特点，可按需定制频率，提供样品满足原型设计需求，具备大规模生产能力和竞争力定价；产品规格涵盖尺寸、频率范围、电源电压范围等多项参数，还给出了相位噪声典型值，最后附有订购指南。

LS1028A/LS1018A工业与汽车应用处理器NXP

2025-01-02 08:55:01

NXP LS1028A/LS1018A芯片相关介绍，LS1028A有两个核心，LS1018A为单核，核心为32/64位ARM Cortex-A72，最高1.5GHz，有一定缓存配置；内存控制器支持DDR3L/DDR4 SDRAM且支持ECC；支持多种高速串行接口并提供SerDes通道；内置LCD控制器支持高分辨率显示，GPU支持多种图形标准且有特定速率；集成TSN-capable以太网相关组件；有多种外设接口、DMA控制器、中断控制器与监控单元；采用FC-PBGA封装；适用于网络、工业、打印等领域，因能源高效、集成度高和成本效益受青睐。